台积电宣布16奈米FinFET强效版制程(16FF+)进入试产阶段
台积电今(12)日宣布，16奈米FinFET强效版制程(16FF+)进入试产阶段，按照进度预计于本(11)月完成所有可靠性验证，2015年年底前将完成近60件产品设计定案。由于良率与效能的快速攀升，可望于2015年7月量产。
相较于台积电的平面式20奈米系统单晶片(20SoC)制程，16FF+速度增快40%，在相同速度下功耗降低50%，可支援下一世代高阶行动运算、网通及消费性产品。
台积电说，公司的16奈米制程针对先进系统单晶片设计进一步微缩，芯片之验证成果表现相当优异，在ARM Cortex®-A57「大核」处理器效能达到2.3GHz，支援高速应用产品，而支援低耗电应用的Cortex-A53「小核」处理器之功耗仅75毫瓦。
台积电还说，相较于过去所有的制程技术，16奈米制程在相同的技术开发完成阶段，已达到最佳的成熟度。
台积电总经理暨共同执行长刘德音表示，公司在20SoC制程上成功量产的经验与成果，为16FF及16FF+制程开辟了一条坦途，能够迅速提供客户极具竞争力的技术，创造产品的最大价值。
刘德音说，相信这一项崭新的先进制程，能够协助客户在效能与成本之间取得最佳的平衡优势，更加满足客户在设计上的需求，以达到产品迅速上市的目标。
台积电的16FF+设计生态环境完备，支援已通过硅晶验证的各式电子设计自动化工具、数百项制程设计套件，以及超过100件的硅智财。